SSM6N15FE(TE85L,F)参数：MOSFET N-CH DUAL 30V 0.1A ES6
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品目录绘图： ES6Top ES6Side标准包装：4,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4欧姆@10mA，4V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：7.8pF@3V功率-最大值：150mW安装类型：表面贴装封装：SOT-563，SOT-666供应商器件封装：ES6（1.6x1.6）
