SSM6K211FE(TE85L,F
PDF资料下载

SSM6K211FE(TE85L,F参数：MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： SmallSignalMOSFET
产品目录绘图： ES6Top ES6Side
标准包装：4,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，1.5V驱动
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.2A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：47毫欧@2A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10.8nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：510pF@10V
功率-最大值：500mW
安装类型：表面贴装
封装：SOT-563，SOT-666
供应商器件封装：ES6（1.6x1.6）