SQ3419EEV-T1-GE3
PDF资料下载

SQ3419EEV-T1-GE3参数：MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP

类别：分立半导体产品-FET - 单
特色产品： SQSeriesPowerMOSFETs
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：40V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：7.4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：50毫欧@2.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：15nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1065pF@20V
功率-最大值：5W
安装类型：表面贴装
封装：SC-74，SOT-457
供应商器件封装：6-TSOP