SQ2360EES-T1-GE3
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SQ2360EES-T1-GE3参数：MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236

类别：分立半导体产品-FET - 单
特色产品： SQSeriesPowerMOSFETs
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：85毫欧@6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：12nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：370pF@25V
功率-最大值：3W
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）