SQ1420EEH-T1-GE3
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SQ1420EEH-T1-GE3参数：MOSFET N-CH 60V 1.6A SC70-6

类别：分立半导体产品-FET - 单
特色产品： SQSeriesPowerMOSFETs
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：140毫欧@1.2A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：4nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：215pF@25V
功率-最大值：3.3W
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SC-70-6