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SPI20N60CFD参数：MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters标准包装：500系列：CoolMOS™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：650V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：20.7A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：220毫欧@13.1A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：124nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2400pF@25V功率-最大值：208W安装类型：通孔封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA供应商器件封装：PG-TO262-3
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