SI1026X-T1-GE3
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SI1026X-T1-GE3参数：MOSFET DL N-CH 60V 305MA SC89-6

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：305mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.4 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：250mW
安装类型：表面贴装
封装：SOT-563，SOT-666
供应商器件封装：SC-89-6