SH8J65TB1
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SH8J65TB1参数：MOSFET P-CH DUAL 30V 7A SOP8

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品目录绘图： xTB1SeriesSOP-8
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个P沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：7A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：29毫欧@7A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：18nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1200pF@10V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOP