SGW10N60RUFDTM
PDF资料下载

SGW10N60RUFDTM参数：IGBT W/DIODE 600V 10A D2PAK

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：800
系列：-
包装：带卷 (TR)
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.8V @ 15V，10A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：16A
Current - Collector Pulsed (Icm)：30A
功率 - 最大值：75W
Switching Energy：356µJ
输入类型：标准
Gate Charge：30nC
Td (on/off) A 25°C：15ns/36ns
Test Condition：300V, 10A, 20 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)：42ns
封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：D²PAK