RZM002P02T2L
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RZM002P02T2L参数：MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：8,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，1.2V 驱动
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：200mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：115pF @ 10V
功率 - 最大值：150mW
安装类型：表面贴装
封装：SOT-723
供应商器件封装：VMT3