RTQ020N05TR
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RTQ020N05TR参数：MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss)：45V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：190 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：150pF @ 10V
功率 - 最大值：1.25W
安装类型：表面贴装
封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装：TSMT6