RP1E125XNTR
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RP1E125XNTR参数：MOSFET N-CH 30V 12.5A MPT6

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：12.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：12 毫欧 @ 12.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12.7nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1000pF @ 10V
功率 - 最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：6-SMD，扁平引线
供应商器件封装：MPT6