RP1E050RPTR
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RP1E050RPTR参数：MOSFET P-CH 30V 5A MPT6

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： MOSFETP-ChannelMPT6
特色产品： ECOMOS?SeriesMOSFETs
标准包装：1,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：50毫欧@5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：9.2nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：850pF@10V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：6-SMD，扁平引线
供应商器件封装：MPT6