PSMN2R8-25MLC,115
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PSMN2R8-25MLC,115参数：MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,500
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：25V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：70A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.8 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.15V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：37.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2432pF@ 12.5V
功率 - 最大值：88W
安装类型：表面贴装
封装：SOT1210，8-LFPAK33（5 引线）
供应商器件封装：LFPAK33