PSMN1R3-30YL,115
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PSMN1R3-30YL,115参数：MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
特色产品： LFPAKTrench6MOSFETs
标准包装：1,500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.3毫欧@15A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.15V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：100nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：6227pF@12V
功率-最大值：121W
安装类型：表面贴装
封装：SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供应商器件封装：LFPAK，Power-SO8