PSMN1R1-30EL,127
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PSMN1R1-30EL,127参数：MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：120A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.3 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：243nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：14850pF @ 15V
功率 - 最大值：338W
安装类型：通孔
封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装：I2PAK