PSMN165-200K,518
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PSMN165-200K,518参数：MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：TrenchMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：165 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：40nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1330pF @ 25V
功率 - 最大值：3.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO