PSMN023-80LS,115
PDF资料下载

PSMN023-80LS,115参数：MOSFET N-CH QFN3333

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,400
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：80V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：34A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：23 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：21nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1295pF @ 40V
功率 - 最大值：65W
安装类型：表面贴装
封装：8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：8-DFN3333（3.3x3.3）