PSMN013-30LL,115
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PSMN013-30LL,115参数：MOSFET N-CH 30V QFN3333

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,400
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：21A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：13 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.15V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：768pF @ 15V
功率 - 最大值：41W
安装类型：表面贴装
封装：8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：8-DFN3333（3.3x3.3）