PSMN012-100YS,115参数：MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：1,500系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：60A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：12 毫欧 @ 15A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：64nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3500pF @ 50V功率 - 最大值：130W安装类型：表面贴装封装：SC-100，SOT-669，4-LFPAK供应商器件封装：LFPAK，Power-SO8
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