PMV30XN,215
PDF资料下载

PMV30XN,215参数：MOSFET N-CH 20V SOT-23

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：35 毫欧 @ 3.2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：420pF @ 15V
功率 - 最大值：380mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：TO-236AB