PMPB15XP,115参数：MOSFET N-CH SINGLE 12V 6DFN
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：12V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：8.2A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：19 毫欧 @ 8.2A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：100nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2875pF @ 6V功率 - 最大值：1.7W安装类型：表面贴装封装：6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装：6-DFN2020MD (2x2)
<dl id="sctsb"><font id="sctsb"></font></dl>
