PMPB12UN,115参数：MOSFET N-CH SINGLE 20V 6DFN
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：7.9A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：18 毫欧 @ 7.9A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：13nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：886pF @ 10V功率 - 最大值：1.7W安装类型：表面贴装封装：6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装：6-DFN2020MD (2x2)
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