PML260SN,118
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PML260SN,118参数：MOSFET N-CH 200V 8.8A 8HVSON

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,400
系列：TrenchMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：8.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：294 毫欧 @ 2.6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：13.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：657pF @ 30V
功率 - 最大值：50W
安装类型：表面贴装
封装：8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：8-DFN3333（3.3x3.3）