PMGD8000LN,115
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PMGD8000LN,115参数：MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 6TSSOP

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：3,000
系列：TrenchMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：125mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：8 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：350pC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：18.5pF @ 5V
功率 - 最大值：200mW
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：6-TSSOP