NVR1P02T1G参数：MOSFET N-CH 20V 1A SOT-23-3
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：6,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：180 毫欧 @ 1.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.5nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：165pF @ 5V功率 - 最大值：400mW安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：SOT-23-3
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