暂无NVB5860NLT4GPDF资料下载

NVB5404NT4G参数：MOSFET N CH 40V 24A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ReactivationNotice28/Jun/2011
标准包装：800
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：40V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：24A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.5毫欧@40A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：125nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：7000pF@32V
功率-最大值：5.4W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK