NTS2101PT1
PDF资料下载

NTS2101PT1参数：MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： LTBNotification03/Jan/2008
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：8V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：100毫欧@1A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：700mV@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6.4nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：640pF@8V
功率-最大值：290mW
安装类型：表面贴装
封装：SC-70，SOT-323
供应商器件封装：SC-70-3（SOT323）