NTQS6463R2
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NTQS6463R2参数：MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation02/Jan/2007
标准包装：4,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6.8A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：20毫欧@6.8A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：900mV@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：50nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：-
功率-最大值：1.39W
安装类型：表面贴装
封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）
供应商器件封装：8-TSSOP