NTQD6866R2
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NTQD6866R2参数：MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品变化通告： ProductObsolescence06/Oct/2006
标准包装：4,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.7A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：32毫欧@6.9A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：22nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1400pF@16V
功率-最大值：940mW
安装类型：表面贴装
封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）
供应商器件封装：8-TSSOP