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NTMSD2P102R2SG参数：MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation03/Apr/2007 WireChange12/May/2009
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：二极管（隔离式）
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.3A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：90毫欧@2.4A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：18nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：750pF@16V
功率-最大值：710mW
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOICN