NTMS4N01R2G
PDF资料下载

NTMS4N01R2G参数：MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： WireChange20/Aug/2008 ProductObsolescence21/Jan/2010
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.3A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：40毫欧@4.2A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：16nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1200pF@10V
功率-最大值：770mW
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOICN