NTMFS5832NLT1G
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NTMFS5832NLT1G参数：MOSFET N-CH 40V 110A SO-8FL

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,500
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：40V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：20A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：4.2 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：51nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2700pF @ 25V
功率 - 最大值：3.1W
安装类型：表面贴装
封装：8-TDFN 裸焊盘（5 根引线）
供应商器件封装：6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6）