NTMFS4926NET1G
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NTMFS4926NET1G参数：MOSFET N-CH 30V 44A SO8-FL

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,500
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：7 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1004pF @ 15V
功率 - 最大值：920mW
安装类型：表面贴装
封装：8-TDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6）