NTMFS4119NT1G
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NTMFS4119NT1G参数：MOSFET N-CHAN 18A 30V SO8 FL

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ReactivationNotice08/Apr/2011 ProductDiscontinuation27/Jan/2012
标准包装：1,500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：11A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3.5毫欧@29A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：60nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：4800pF@24V
功率-最大值：900mW
安装类型：表面贴装
封装：8-TDFN裸焊盘（5根引线）
供应商器件封装：6-DFN，8-SO扁平引线（5x6）