NTMD4184PFR2G
PDF资料下载

NTMD4184PFR2G参数：MOSFET P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： WireChange12/May/2009
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：二极管（隔离式）
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.3A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：95毫欧@3A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：4.2nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：360pF@10V
功率-最大值：770mW
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOICN