NTLJS3113PTAG参数：MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： 1Q2012Discontinuation30/Mar/2012标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：40毫欧@3A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：15.7nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1329pF@16V功率-最大值：700mW安装类型：表面贴装封装：6-WDFN裸露焊盘供应商器件封装：6-WDFN（2x2）
<tfoot id="keqgs"></tfoot>
<fieldset id="keqgs"></fieldset>
<abbr id="keqgs"></abbr>
