NTLJD4150PTBG
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NTLJD4150PTBG参数：MOSFET P-CH DUAL 30V 3.2A 6WDFN

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品变化通告： ProductObsolescence19/Dec/2008
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个P沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.8A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：135毫欧@4A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：4.5nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：300pF@15V
功率-最大值：700mW
安装类型：表面贴装
封装：6-WDFN裸露焊盘
供应商器件封装：6-WDFN（2x2）