NTLJD3119CTBG
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NTLJD3119CTBG参数：MOSF N/P-CH 20V 2.6A/2.3A 6WDFN

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：3,000
系列：µCool™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：N 和 P 沟道
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.6A，2.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：65 毫欧 @ 3.8A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：3.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：271pF @ 10V
功率 - 最大值：710mW
安装类型：表面贴装
封装：6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：6-WDFN（2x2）