NTLGF3501NT1G
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NTLGF3501NT1G参数：MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductObsolescence19/Dec/2008
标准包装：3,000
系列：FETKY™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.8A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：90毫欧@3.4A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：275pF@10V
功率-最大值：1.14W
安装类型：表面贴装
封装：6-VDFN裸露焊盘
供应商器件封装：6-DFN（3x3）