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NTLGD3502NT1G参数：MOSFET N-CH DUAL 20V 6-DFN
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.3A，3.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：60毫欧@4.3A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：4nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：480pF@10V功率-最大值：1.74W安装类型：表面贴装封装：6-VDFN裸露焊盘供应商器件封装：6-DFN（3x3）
