NSVMMUN2132LT1G
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NSVMMUN2132LT1G参数：TRANS BRT PNP 50V SOT-23

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
晶体管类型：PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：4.7k
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：4.7k
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：15 @ 5mA，10V
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：250mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：500nA
频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：246mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3