NSVB123JPDXV6T1G
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NSVB123JPDXV6T1G参数：TRANS NPN/PNP DUAL 50V SOT563

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
标准包装：4,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：2.2k
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：4.7k
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 5mA，10V
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：500nA
频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：500mW
安装类型：表面贴装
封装：SOT-563，SOT-666
供应商器件封装：SOT-563