NSS40300DDR2G
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NSS40300DDR2G参数：TRANS PNP DUAL 40V 8-SOIC

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷 (TR)
晶体管类型：2 PNP（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3A
电压 - 集射极击穿（最大值）：40V
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：170mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：-
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：180 @ 1A，2V
功率 - 最大值：653mW
频率 - 跃迁：100MHz
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC N