NP55N03SUG-E1-AY参数：MOSFET N-CH 30V 55A TO-252
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：2,500系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：55A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5 毫欧 @ 28A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：93nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5300pF @ 25V功率 - 最大值：1.2W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63供应商器件封装：TO-252（MP-3ZK）
