NP160N04TDG-E1-AY
PDF资料下载

NP160N04TDG-E1-AY参数：MOSFET N-CH 40V 160A TO-263

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：800
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：40V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：160A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：270nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：15750pF @ 25V
功率 - 最大值：1.8W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片）
供应商器件封装：TO-263-7