NIF9N05CLT1G
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NIF9N05CLT1G参数：MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： SpecificationChangeMSLUpdated2/April/2007
标准包装：1,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：59V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：125毫欧@2.6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@100µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：7nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：250pF@35V
功率-最大值：1.69W
安装类型：表面贴装
封装：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：SOT-223