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NIC9N05ACLF参数：IGBT N-CH 52V 9A BARE DIE

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1
系列：-
包装：*
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：52V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：95 毫欧 @ 12A，12V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：250pF @ 40V
功率 - 最大值：1.74W
安装类型：*
封装：*
供应商器件封装：*