NGD8205NT4G
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NGD8205NT4G参数：IGBT IGNIT N-CHAN 20A 350V DPAK

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷 (TR)
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：390V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：1.9V @ 4.5V，20A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20A
Current - Collector Pulsed (Icm)：50A
功率 - 最大值：125W
Switching Energy：-
输入类型：逻辑
Gate Charge：-
Td (on/off) A 25°C：-/5µs
Test Condition：300V，9A，1 千欧，5V
反向恢复时间 (trr)：-
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：DPAK-3