MCH6626-TL-E
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MCH6626-TL-E参数：MOSFET N/P-CH 20V 1.6/1A MCPH6

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品目录绘图： MCPH3Package-P,N&N/PChannelTop
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：N和P沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.6A，1A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：230毫欧@800mA，4V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：1.4nC@4V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：105pF@10V
功率-最大值：800mW
安装类型：表面贴装
封装：6-SMD，扁平引线
供应商器件封装：6-MCPH